[发明专利]沟槽型超结功率器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型超结功率器件及其制作方法，其中，制作方法包括：在衬底上形成P型外延层，对其注入N型离子形成N型源区层；在其上方形成氧化层，对其及N型源区层和P型外延层刻蚀形成贯穿该三层且底部位于衬底上表面与N型源区层下表面之间的第一沟槽；通过其底部对P型外延层注入N型离子，形成底部与衬底上表面接触的N型柱；在第一沟槽内壁形成氧化层，在被氧化层覆盖的第一沟槽内填充多晶硅。上述方法不需使用二次外延工艺，能够降低器件制造成本，减少热退火工艺过程对P柱/N柱电荷浓度的影响，防止P柱区域和N型柱之间相互扩散，保证N柱和P柱的电荷平衡，提高器件性能。

主权项

一种沟槽型超结功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成P型外延层，并对所述P型外延层进行N型离子注入，形成N型源区层；在所述N型源区层上方形成氧化层，并对所述氧化层、N型源区层和P型外延层进行刻蚀，形成贯穿所述氧化层、N型源区层和P型外延层且底部位于所述衬底上表面与所述N型源区层下表面之间的第一沟槽；通过所述第一沟槽底部对所述P型外延层进行N型离子注入，形成底部与所述衬底上表面接触的N型柱；在所述第一沟槽内壁形成氧化层，并在被所述氧化层覆盖的第一沟槽内填充多晶硅。