[发明专利]利用共面传输线的太赫兹二倍频器有效

专利信息
申请号: 201510008723.0 申请日: 2015-01-08
公开(公告)号: CN104617880B 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 张波;纪东峰;刘戈;司梦姣;杨益林;高欣;牛中乾;李树丹;蒙泽祖;樊勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03B19/14 分类号: H03B19/14;H03B19/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 李朝虎
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了利用共面传输线的太赫兹二倍频器,包括基波输入波导和主体波导,基波输入波导与主体波导连通;主体波导的内腔底面设置有介质基板,介质基板的左端伸出主体波导后延伸进基波输入波导内,介质基板上设置有下表面与介质基板上表面齐平的共面波导传输线,共面波导传输线包括从左到右依次连接的短路传输线、一级连接传输线、匹配传输线、输出波导匹配传输线、直流偏置低通滤波器,还包括输出波导,输出波导与主体波导交叉连接,输出波导与主体波导的重合区域为区域M,输出波导匹配传输线设置在区域M内;输出波导的左侧设置有2个共面传输线接地传输线,还包括倒贴的四管芯倍频二极管。
搜索关键词: 利用 传输线 赫兹 倍频器
【主权项】:
利用共面传输线的太赫兹二倍频器,其特征在于:包括轴线沿X轴设置的基波输入波导(1)和轴线沿X轴设置的主体波导(2),基波输入波导(1)的右端与主体波导(2)的左端连通;主体波导(2)的内腔底面设置有介质基板(4),介质基板(4)的左端伸出主体波导(2)后延伸进基波输入波导(1)内,介质基板(4)上设置有下表面与介质基板(4)上表面齐平的共面波导传输线,共面波导传输线包括从左到右依次连接的短路传输线(21)、一级连接传输线(22)、匹配传输线、输出波导匹配传输线(26)、直流偏置低通滤波器,直流偏置低通滤波器采用下表面与介质基板(4)上表面齐平的传输线构成;还包括轴线沿Y轴方向设置的输出波导(3),输出波导(3)与主体波导(2)交叉连接,输出波导(3)与主体波导(2)的重合区域为区域M,输出波导匹配传输线(26)设置在区域M内;输出波导(3)的左侧设置有2个轴线沿X轴方向设置的共面传输线接地传输线(30),输出波导(3)的右侧设置有2个轴线沿X轴方向设置的耦合接地传输线(31),共面传输线接地传输线(30)和耦合接地传输线(31)都为下表面与介质基板(4)上表面齐平的接地传输线,共面传输线接地传输线(30)和耦合接地传输线(31)都与主体波导的内侧壁连接,2个共面传输线接地传输线(30)分别设置在一级连接传输线(22)X轴方向轴线的两侧,2个耦合接地传输线(31)分别设置在直流偏置低通滤波器X轴方向轴线的两侧,还包括倒贴的四管芯倍频二极管(5),四管芯倍频二极管(5)位于基波输入波导(1)的内腔区域内,四管芯倍频二极管(5)包括5个一字排列的多层半导体块,5个多层半导体块都装配在同一个支撑板(46)上,5个多层半导体块远离支撑板(46)的一侧都设置有空气桥焊盘(45),5个多层半导体块分别是:多层半导体块B(423)、多层半导体块A(422)、中间多层半导体块(421)、多层半导体块C(424)、多层半导体块D(425),中间多层半导体块(421)上的空气桥焊盘(45)通过金属阳极空气桥(43)分别与多层半导体块A(422)和多层半导体块C(424)桥接,多层半导体块A(422)上的空气桥焊盘(45)通过金属阳极空气桥(43)与多层半导体块B(423)桥接,多层半导体块C(424)上的空气桥焊盘(45)通过金属阳极空气桥(43)与多层半导体块D(425)桥接,中间多层半导体块(421)上的空气桥焊盘(45)倒扣粘接在一级连接传输线(22)上,多层半导体块B(423)和多层半导体块D(425)上的空气桥焊盘(45)分别倒扣粘接在2个共面传输线接地传输线(30)上。
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