[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510008807.4 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105826379B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;傅思逸;吕佳霖;蔡世鸿;杨智伟;林佳静;曾嘉勋;黄瑞民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一基底，一浅沟隔离，位于该基底中，多个第一鳍状结构，位于该基底上，其中各该第一鳍状结构的材质与该基底相同，以及多个第二鳍状结构，位于该浅沟隔离上，且各该第二鳍状结构的材质与该浅沟隔离相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含:基底；浅沟隔离，位于该基底中；多个第一鳍状结构，位于该基底中，其中各该第一鳍状结构的材质与该基底相同；以及多个第二鳍状结构，位于该浅沟隔离中，且各该第二鳍状结构的材质与该浅沟隔离相同。
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