[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有浅沟槽隔离结构和覆盖半导体衬底的第一介质层；在浅沟槽隔离结构上的第一介质层中形成第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构；在第一介质层上形成电阻材料层，所述电阻材料层覆盖第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构的顶部表面；形成覆盖第一介质层和电阻材料层的第二介质层；刻蚀第二介质层和电阻材料层，形成暴露出第一伪金属栅结构表面的第一通孔和暴露出第二伪金属栅结构的表面的第二通孔；在第一通孔中填充金属形成第一插塞，在第二通孔中填充金属形成第二插塞。本发明的方法提高了第一插塞和第二插塞与电阻材料层的电接触性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有浅沟槽隔离结构；形成覆盖所述浅沟槽隔离结构和半导体衬底的第一介质层，所述浅沟槽隔离结构上的第一介质层中形成有第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构，第一伪金属栅结构位于第二伪金属栅结构一侧，所述第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构包括金属层；在所述第一介质层表面形成电阻材料层，所述电阻材料层覆盖第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构的金属层顶部表面、和第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构之间的第一介质层表面，所述电阻材料层作为电阻，所述电阻材料层为金属或金属氮化物；形成覆盖所述第一介质层和电阻材料层的第二介质层；刻蚀所述第二介质层和电阻材料层，形成暴露出第一伪金属栅结构表面的第一通孔和暴露出第二伪金属栅结构的表面的第二通孔；在第一通孔中填充金属形成第一插塞，在第二通孔中填充金属形成第二插塞。