[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510009338.8 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105826258B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;黄瑞轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，所述第一区域和第二区域基底表面形成有层间介质层；将部分厚度的第二金属栅极转化为金属氮化层，且在氮化处理过程中，部分第一伪栅转化为半导体氮化层；在第三区域基底上形成硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜，采用含氟气体和H2刻蚀去除半导体氮化层以及剩余第一伪栅，在第一区域层间介质层内形成第一开口；形成填充满第一开口的第一金属栅极。本发明在刻蚀半导体氮化层时层间介质层的损失量小，从而提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的基底，所述第一区域部分基底上形成有第一伪栅，所述第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，所述第一区域和第二区域基底表面形成有层间介质层，且所述层间介质层还覆盖于第一栅极侧壁表面和第二金属栅极侧壁表面；对所述第二金属栅极表面进行氮化处理，将部分厚度的第二金属栅极转化为金属氮化层，且在氮化处理过程中，部分第一伪栅转化为半导体氮化层；在所述第三区域基底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层暴露出半导体氮化层表面、以及第一区域和第二区域层间介质层表面；以所述硬掩膜层为掩膜，采用含氟气体和H2刻蚀去除半导体氮化层以及剩余第一伪栅，在所述第一区域层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的第一金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
