[发明专利]影像传感器用晶圆积层体的分断方法及分断装置在审
申请号: | 201510009652.6 | 申请日: | 2015-01-08 |
公开(公告)号: | CN105826180A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 上村刚博 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78;H01L21/67;H01L27/146 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种影像传感器晶圆、封装的分断方法及装置,在本发明的影像传感器用晶圆积层体(W)的分断方法中,该影像传感器用晶圆积层体(W),具有将玻璃晶圆(1)、与硅晶圆(2),通过以围绕各光二极管形成区域(3)的方式配置的树脂层(4)贴合而成的构造;该分断方法,例如,使刻划轮(10)沿着玻璃晶圆上面的分断预定线一边进行按压一边转动,借此形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线(S),接着,借由从硅晶圆的下面侧沿刻划线以裂断杆(14)进行按压,使晶圆积层体挠曲而分断玻璃晶圆,并且也分断硅晶圆。借由上述技术方案,本发明的分断方法及装置可不使用切割锯,而以干式的简单手法具效果地、且完美地进行分断。 | ||
搜索关键词: | 影像 传感 器用 晶圆积层体 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种影像传感器用晶圆积层体的分断方法,该影像传感器用晶圆积层体,是具有将玻璃晶圆、与纵横地图案化形成有多个光二极管形成区域的硅晶圆,通过以围绕该各光二极管形成区域的方式配置的树脂层贴合而成的构造;其特征在于:沿着该玻璃晶圆上面的分断预定线形成刻划线;接着,借由从该硅晶圆的下面侧沿该刻划线以裂断杆进行按压,而分断该玻璃晶圆,并且也分断该硅晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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