[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510010057.4 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104916675B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 车在春;秦丞佑;李安培;张壹植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L29/786;H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法包括：在低温下注入第一物类至衬底中来形成第一区；以及在高温下注入第二物类至衬底中来形成与第一区相邻的第二区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：/n在温度低于室温的低温下注入第一物类至衬底中来形成第一区；/n在温度高于所述室温的高温下注入第二物类至所述衬底中来形成与所述第一区相邻的第二区；以及/n注入第三物类至所述衬底中来形成第三区，所述第三区具有比所述第一区和所述第二区更深的部分，/n其中，所述第三区被形成为与所述第一区和所述第二区相邻，/n其中所述第一区具有抑制的掺杂分布，以及/n其中所述第二区具有扩大的掺杂分布。/n
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