[发明专利]一种由分割计算圆柱型谐振腔Qt值来确定沉积台的方法

摘要

本发明涉及一种由分割计算圆柱型谐振腔Qt值来确定沉积台的方法，方法步骤包括：(1)在圆柱型谐振腔模型中建立轴坐标，确定旋度方程；(2)将谐振腔内部的空间进行划分；(3)分块计算类品质因数Qt；(4)谐振腔内部等离子区具体位置的确定；(5)沉积台位置的确定。本发明准确的判断圆柱型谐振腔内部的电场强度的分布情况，反映出谐振腔内等离子体区域的具体形状，合理设计沉积台的位置，利于金刚石的膜生长。

主权项

1.一种由分割计算圆柱型谐振腔Qt值来确定沉积台的方法，其特征在于方法步骤如下：(1)在圆柱型谐振腔模型中建立轴坐标，确定旋度方程；其中，轴坐标的轴线z与圆柱型谐振腔的中轴重合，z轴的零点为圆柱型谐振腔底面的圆心，在应用轴坐标的情况下，圆柱型谐振腔内磁场强度H和电场强度E的旋度方程为：在上式中：H为磁场强度，E为电场强度，r为圆柱型谐振腔的半径，ε为电常数，μ为磁常数；(2)将谐振腔内部的空间进行划分；具体划分方法为：以坐标z轴的零点为基准点，等比例增加高度以及圆柱形的半径，将腔体分割成一系列不同高度和半径的同轴圆柱体，其中，一系列不同高度和半径的同轴圆柱体的高度和半径每次增加的尺度为圆柱型谐振腔高度及半径的六分之一到十分之一；(3)分块计算类品质因数Qt；根据上述步骤(2)划分的空间，分块计算类品质因数Qt，计算公式如下：在上式中，分子为每一个划分的小圆柱体内电场强度E的平方和，分母为整个谐振腔内部的全部空间电场强度的平方和，通过不同区域类品质因数Qti值的变化，清楚的描绘出在谐振腔内部的电场强弱的分布；(4)谐振腔内部等离子区具体位置的确定；在划分的某两个连续区域之间，当Qti值发生明显过渡，则两区域的边界线做为等离子区的划分线，对于圆柱型谐振腔，在靠近谐振腔底部位置，电场强度大的一侧区域即为等离子区，其中，Qti值发生明显过渡具体是指Qti值变化大于±5％；(5)沉积台位置的确定；利用步骤(4)得出等离子区的位置后，根据等离子区的高度设计沉积台的高度，等离子区的下部区分线即为沉积台的高度，等离子区的宽度即为沉积台的宽度。