[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510010126.1 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105826261B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括PMOS区域和NMOS区域；在PMOS区域和NMOS区域上形成顶部具有掩膜层的栅极结构；在栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在半导体衬底表面、第一侧墙和掩膜层表面形成第二侧墙材料层和第三侧墙材料层；刻蚀第三侧墙材料层和第二侧墙材料层，形成位于第一侧墙表面的第二侧墙、第三侧墙；形成第四侧墙材料层；刻蚀所述PMOS区域上的第四侧墙材料层，在PMOS区域上的第三侧墙表面形成第四侧墙；在栅极结构两侧的PMOS区域内形成第一源漏极；去除所述第四侧墙、位于NMOS区域上的第四侧墙材料层、第三侧墙、第二侧墙和掩膜层。所述方法可以提高形成的晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域和NMOS区域上形成栅极结构，所述栅极结构顶部具有掩膜层；在所述栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在所述半导体衬底表面、第一侧墙和掩膜层表面依次形成第二侧墙材料层和覆盖所述第二侧墙材料层的第三侧墙材料层；同时刻蚀所述PMOS区域和NMOS区域的第二侧墙材料层，形成位于第一侧墙表面的第二侧墙，以及同时刻蚀所述PMOS区域和NMOS区域的第三侧墙材料层，形成位于第二侧墙表面的第三侧墙；在所述半导体衬底表面、第三侧墙和掩膜层表面形成第四侧墙材料层；刻蚀所述PMOS区域上的第四侧墙材料层，在PMOS区域上的第三侧墙表面形成第四侧墙；在栅极结构两侧的PMOS区域内形成第一源漏极；去除所述第四侧墙、位于NMOS区域上的第四侧墙材料层、第三侧墙、第二侧墙和掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
