[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510010128.0 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105826263B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;黄瑞轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域；形成覆盖部分PMOS区域的第一栅介质层、第一盖帽层以及第一伪栅极、形成覆盖部分NMOS区域的第二栅介质层、第二盖帽层以及第二伪栅极；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与第一伪栅极、第二伪栅极的表面齐平；去除第一伪栅极，形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一功函数层和第一栅极；在含氧气氛下进行第一退火处理，使第一栅极和第二伪栅极表面被氧化；在氢气氛围下对第二伪栅极进行第二退火处理；去除所述第二伪栅极，形成第二凹槽；在第二凹槽内形成第二功函数层和第二栅极。所述方法可以提高形成的晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；形成覆盖部分PMOS区域的第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的第一盖帽层以及位于第一盖帽层表面的第一伪栅极，形成覆盖部分NMOS区域的第二栅介质层、位于第二栅介质层表面的第二盖帽层以及位于第二盖帽层表面的第二伪栅极；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与第一伪栅极、第二伪栅极的表面齐平；去除第一伪栅极，在PMOS区域上形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成第一功函数层和位于所述第一功函数层表面填充满所述第一凹槽的第一栅极；在含氧气氛下进行第一退火处理，使第一栅极和第二伪栅极表面被氧化；在氢气氛围下对第二伪栅极进行第二退火处理；去除所述第二伪栅极，在NMOS区域上形成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成第二功函数层和位于所述第二功函数层表面填充满所述第二凹槽的第二栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
