[发明专利]一种LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201510010137.X | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105826444B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;胡红坡;刘治 | 申请（专利权）人： | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 苗青盛 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED芯片及其制造方法，该LED芯片包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、电流扩散导电层、P电极和N电极，与所述P电极接触的电流扩散导电层采用孔洞结构，所述电流扩散导电层的孔洞的大于P电极的尺寸。电流扩散导电层的孔洞比P电极的尺寸大3～8um，P电极具有Finger结构，且Finger结构与所述LED芯片中的氧化铟锡接触。本发明中的LED芯片能够增强边缘的电流扩散导电层与电极之间的结合力，降低边缘的电流扩散导电层和电极之间的脱落风险。 | ||
| 搜索关键词： | 电流扩散 导电层 孔洞 电极 孔洞结构 氧化铟锡 发光层 缓冲层 结合力 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、电流扩散导电层、P电极和N电极，所述缓冲层位于所述衬底之上，所述N型层和所述N电极位于所述缓冲层之上，所述发光层位于所述N型层之上，所述P型层位于所述发光层之上，所述电流扩散导电层位于所述P型层之上，所述P电极位于所述电流扩散导电层之上，所述P电极和所述N电极分别位于所述LED芯片的两端，与所述P电极接触的电流扩散导电层采用孔洞结构，所述孔洞的尺寸大于所述P电极的尺寸；所述P电极具有三个指状结构，且所述指状结构与所述电流扩散导电层接触，其中两个指状结构自所述P电极向所述LED芯片中靠近所述N电极的一端延伸，另一个指状结构自所述P电极向所述LED芯片中靠近所述P电极的一端延伸。
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