[发明专利]一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法及其产品有效
申请号: | 201510010189.7 | 申请日: | 2015-01-09 |
公开(公告)号: | CN104600196B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 余学功;沈鑫磊;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法,以氧化铝为模板,结合金属辅助化学蚀刻法制备硅纳米线,800~1000℃下,经热氧化处理60~800min,在硅纳米线表面生成氧化硅,再浸泡氢氟酸溶液至氧化硅去除完全;将处理后的硅纳米线浸泡在四甲基氢氧化铵水溶液中,取出后,在表面旋涂导电有机物,再经热处理得到成结硅纳米线;再分别在成结硅纳米线正面和背面沉积银、铝作为电极,得到所述的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。本发明提供了一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法,制备得到排列有序且直径可控的硅纳米线,进而制备电池效率显著提高的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 有机物 纳米 太阳能电池 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】:
一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)以氧化铝为模板,结合金属辅助化学蚀刻法制备硅纳米线,900~950℃下,经热氧化处理550~650min,在硅纳米线表面生成氧化硅,再浸泡氢氟酸溶液至氧化硅去除完全;b)将步骤a)处理后的硅纳米线浸泡在四甲基氢氧化铵水溶液中,取出后,在表面旋涂导电有机物,再经热处理得到成结硅纳米线;所述四甲基氢氧化铵水溶液的质量百分比浓度为0.5~2%,浸泡温度为10~50℃,时间为50~150s;c)分别在步骤b)得到的成结硅纳米线的正面和背面沉积银、铝作为电极,得到所述的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。
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