[发明专利]用于内部估计半导体技术的电介质可靠性的电路和方法在审
| 申请号： | 201510011374.8 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779240A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | S.阿雷素;M.法里策利;M.勒纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于内部估计半导体技术的电介质可靠性的电路和方法。一种半导体晶片，包括不同厚度的电介质区，所述电介质区中的一些电介质区比所述电介质区中较厚的其它电介质区薄。所述半导体晶片进一步包括应力电路，可操作来对在所述半导体晶片内的所述电介质区中的至少一个电介质区内部地加应力，以估计电介质可靠性。也提供了内部地估计半导体技术的电介质可靠性的对应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 内部 估计 半导体 技术 电介质 可靠性 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，包括：不同厚度的电介质区，所述电介质区中的一些电介质区比所述电介质区中较厚的其它电介质区薄；以及应力电路，可操作来对在所述半导体晶片内的所述电介质区中的至少一个电介质区内部地加应力，以估计电介质可靠性。
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