[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体基底的沟槽侧壁和底部形成金属籽晶层后，将半导体基底置于装有电镀液的电镀槽内；之后使电镀槽为真空状态(即处于负压状态)的电镀槽后，半导体基底置入电镀液内，通过电化学镀膜工艺在金属籽晶层上续形成金属材料，至填充满沟槽，形成金属互连结构。因为电镀槽内为真空状态，基于气压平衡需要，半导体基底的沟槽内的气体被迅速排出，从而可减小半导体基底置入电镀液内后，残留在半导体基底的沟槽内的气体，进而减小因为残留在半导体基底的沟槽内的气体而导致后续电化学电镀工艺中，而形成在的金属互连结构内的孔洞数量和体积，以优化金属互连结构的结构，提高金属互连结构的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有沟槽；在所述沟槽侧壁以及底部形成金属籽晶层；提供电镀槽，所述电镀槽内装有电镀液；将形成有所述金属籽晶层的半导体基底放置于电镀槽中；使所述电镀槽内为真空状态；将形成有所述金属籽晶层的半导体基底置入所述电镀液内，通过电化学镀膜工艺在所述金属籽晶层上形成金属材料，以形成金属互连结构。