[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有底层金属层的基底；形成覆盖于所述基底表面以及底层金属层表面的介质层；在所述介质层表面形成图形层，所述图形层内具有开口；以所述图形层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述介质层，直至暴露出底层金属层表面，在所述介质层内形成接触孔，所述接触孔内具有含氟聚合物杂质；去除所述图形层；采用氢等离子体对所述接触孔进行第一刻蚀后处理，去除所述含氟聚合物杂质中的氟离子；在进行所述第一刻蚀后处理之后，对所述接触孔进行湿法清洗处理；形成填充满所述接触孔的导电层。本发明避免在Q‑time内氟离子对介质层和底层金属层造成损伤，提高半导体结构的生产良率，提高芯片产出量。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供具有底层金属层的基底；/n形成覆盖于所述基底表面以及底层金属层表面的介质层；/n在所述介质层表面形成图形层，所述图形层内具有开口；/n以所述图形层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述介质层，直至暴露出底层金属层表面，在所述介质层内形成接触孔，所述接触孔内具有含氟聚合物杂质；/n去除所述图形层；/n采用氢等离子体对所述接触孔进行第一刻蚀后处理，去除所述含氟聚合物杂质中的氟离子；/n在进行所述第一刻蚀后处理之后，对所述接触孔进行湿法清洗处理；/n形成填充满所述接触孔的导电层；/n所述底层金属层与介质层之间形成有刻蚀停止层；形成所述接触孔的工艺步骤包括：采用主刻蚀工艺沿开口刻蚀所述介质层，直至暴露出刻蚀停止层表面，在所述介质层内形成初始接触孔；去除所述图形层；接着采用第一过刻蚀工艺，刻蚀位于初始接触孔下方的部分厚度刻蚀停止层；然后采用第二过刻蚀工艺，继续刻蚀初始接触孔下方的刻蚀停止层，直至暴露出底层金属层表面，形成所述接触孔；/n所述主刻蚀工艺包括：先采用第一步主刻蚀工艺刻蚀部分厚度的介质层，然后继续采用第二步主刻蚀工艺刻蚀剩余部分厚度的介质层；其中，第一步主刻蚀工艺刻蚀形成的介质层侧壁与基底表面之间的夹角为88°至95°，第二步主刻蚀工艺刻蚀形成的介质层侧壁与基底表面之间的夹角为65°至85°。/n