[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成功函数层后，在所述功函数层上形成缓冲层，之后向覆盖有所述缓冲层的功函数层掺杂离子。在向所述功函数掺杂离子的过程中，所述缓冲层可阻挡所述离子，以减小掺杂入所述功函数层内的离子的量，以调节所述功函数层的功函数；而且通过调整所述缓冲层的材料，以及厚度的方式可调节所述缓冲层阻挡的离子的量，从而调节掺杂入所述功函数层内的离子的量，以调节所述功函数层的功函数，进而调节后续形成的半导体器件的阈值电压。相比于现有技术，上述技术方案可简化功函数层的功函数的调整工艺，进而可简化制备具有不同阈值电压的半导体器件工艺。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一晶体管，所述第二区域用于形成第二晶体管，在所述第一区域和第二区域内分别形成有第一栅极凹槽和第二栅极凹槽；在所述半导体衬底上形成功函数层，包括：在所述第一栅极凹槽以及第二栅极凹槽的侧壁和底面覆盖功函数层；在所述第一区域上覆盖第一掩模，以所述第一掩模为掩模进行第一离子掺杂，向所述第二区域的功函数层内掺杂第一离子，以增大所述第二区域内的功函数层的功函数；在所述功函数层上形成缓冲层，包括：去除所述第一掩模，在所述第一栅极凹槽内的功函数层和第二栅极凹槽内的功函数层上形成缓冲层；向覆盖有所述缓冲层的功函数层掺杂离子，在掺杂离子的过程中所述缓冲层用于阻挡所述离子，以调节所述功函数层的功函数；其中，向覆盖有所述缓冲层的功函数层掺杂离子的步骤包括：进行第二离子掺杂，向在所述第一栅极凹槽和第二栅极凹槽内的功函数层内掺杂第二离子，以增大所述第一区域和第二区域内的功函数层的功函数，所述缓冲层用于阻挡所述第二离子，以调节所述功函数层的功函数。