[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层、缓冲层和衬底，在所述衬底、缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层中形成凹槽；在所述凹槽中填充电极材料层，至覆盖所述硬掩膜层表面；对所述电极材料层和硬掩膜层进行化学机械研磨，去除及硬掩膜层上的电极材料层，剩余的位于凹槽中的电极材料层形成电极层。本发明先在所述凹槽中填充电极材料层，再对电极材料层和硬掩膜层进行化学机械研磨。化学机械研磨基本不会对所述缓冲层造成影响。在形成所述电极层之后，缓冲层依然保持较好的形貌，使本发明所形成的半导体电容器具有较好的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构用于形成电容器，包括：提供衬底；对所述衬底进行掺杂，使所述衬底的部分区域形成掺杂区；在所述衬底上依次形成缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层、缓冲层和衬底，在所述衬底、缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层中形成凹槽；所述凹槽位于所述衬底的掺杂区中；在所述凹槽中填充电极材料层，至覆盖所述硬掩膜层表面；对所述电极材料层和硬掩膜层进行化学机械研磨，去除硬掩膜层上的电极材料层，剩余的位于凹槽中的电极材料层用于形成电极层。