[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201510012599.5 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105826382A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 徐唯佳;殷华湘;马小龙;许淼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 半导体器件制造方法。本发明提供了一种FinFET制造方法，其中，形成隔离绝缘层之后的第一次平坦化工艺并不暴露出鳍片结构，而是在随后的HKMG和接触层形成的过程之中，分别对隔离绝缘层进行回刻蚀，以暴露出FinFET的沟道区域和源漏区域；由于鳍片结构在回刻蚀工艺之前均被隔离介质层完全覆盖包围，因而能够避免鳍片结构在随后工艺过程中受到损伤，完整地保存了鳍片形貌，提高了整个工艺稳定性和可控性，也提高了器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，用于制造FinFET器件，其特征在于包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成阱区；在所述阱区中形成鳍片；全面性沉积隔离介质层，完全覆盖所述鳍片，并进行第一次平坦化工艺处理；形成虚设栅极以及位于所述虚设栅极两侧的栅极侧墙；沉积氮化硅层和氧化物层，并进行第二次平坦化工艺处理；去除所述虚设栅极，从而形成凹槽；经由所述凹槽，对所述隔离介质层进行第一次回刻蚀工艺处理，暴露出所述鳍片的顶面和部分侧面；形成栅极绝缘层和栅极；其中，所述第一次平坦化工艺处理并不暴露所述鳍片，所述隔离介质层在第一次平坦化工艺处理之后仍然完全覆盖所述鳍片；所述第二次平坦化工艺处理暴露出所述虚设栅极的顶面。
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