[发明专利]一种可实现三态非易失性调制的电感及其调制方法有效

专利信息
申请号: 201510013106.X 申请日: 2015-01-09
公开(公告)号: CN104599826B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 唐晓莉;张肇吉;苏桦;荆玉兰;钟智勇;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F37/00 分类号: H01F37/00;H01F27/24;H01F1/153;C04B35/491;H01F41/00
代理公司: 电子科技大学专利中心51203 代理人: 李明光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出了一种三态非易失性电压脉冲调制的电感及其实现三种不同电感量的调制方法,属于电子器件技术领域。可实现三态非易失性调制的电感包括含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材磁性薄膜和漆包线,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理得到。通过对PZT基片的上下电极施加电压脉冲,在去掉外电压后,可在非晶软磁合金带材磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,从而实现电感量的调控。该调控方法操作简单,性能优良,能耗低,在各种需要通过电感实现的滤波、调谐、阻抗匹配等功能电子电路系统中有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 实现 三态 非易失性 调制 电感 及其 方法
【主权项】:
一种可实现三态非易失性调制的电感,包括多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材和漆包线,其特征在于,所述多晶PZT陶瓷基片为含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理后得到,所述多晶PZT陶瓷基片的两面抛光后镀上金属电极,在其中一面的金属电极上粘接具有磁致伸缩特性的非晶软磁合金带材,形成多铁异质结;所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片的矫顽电场为Ec,当在所述多铁异质结的两电极间施加大于或等于2Ec的正向电压,持续10秒以上,去掉外加电压,此时异质结所处状态为A状态;当在所述多铁异质结的两电极间施加大于或等于2Ec的反向电压,持续10秒以上,去掉外加电压,此时多铁异质结所处状态为B状态;当在所述多铁异质结的两电极间先施加大于或等于2Ec的反向电压,持续10秒以上,去掉外加电压,然后再施加90%~95%Ec的正向电压,持续10秒以上,去掉外加电压,此时多铁异质结所处状态为C状态;所述多铁异质结在三种不同状态下,含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片中会产生三种不同的残余应变状态,从而对其上粘接的具有磁致伸缩特性的非晶软磁合金带材的磁矩取向产生了三种不同的调控效果,从而实现对电感的电感量的调控,得到三种不同的电感量。
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