[发明专利]一种a面蓝宝石的刻蚀方法有效
申请号: | 201510013617.1 | 申请日: | 2015-01-12 |
公开(公告)号: | CN104658887B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 邹军;房永征;李龙;孙孪鸿;张灿云 | 申请(专利权)人: | 上海应用技术学院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人: | 吴宝根,马文峰 |
地址: | 200235 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种a面蓝宝石的刻蚀方法,即首先将a面蓝宝石在加热到温度160℃的由浓硫酸和浓磷酸组成的混合酸中保持20min,然后自然冷却,将混合酸倒出来,最后取出a面蓝宝石依次经酒精清洗、超声清洗、吹干,即得经酸处理后的a面蓝宝石;将片状固体NaOH加热至温度为325‑340℃至其全部融化澄清,将所得的经酸处理后的a面蓝宝石放入其中,保持温度为325‑340℃持续10min后,直接用镊子立刻取出a面蓝宝石或将烧杯中的NaOH迅速倒出来后将a面蓝宝石取出,再依次经酒精清洗、超声清洗、吹干,即完成了a面蓝宝石的刻蚀。该刻蚀方法所得a面蓝宝石品质优良。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种a面蓝宝石的刻蚀方法,其特征在于具体包括如下步骤:(1)、按体积比计算,浓硫酸:浓磷酸为3:1的比例,将浓硫酸和浓磷酸混合后,所得的混合酸加热到温度160℃后,将a面蓝宝石放入其中,保持温度为160℃持续20min,然后自然冷却,将混合酸倒出来,最后取出a面蓝宝石,首先经过酒精的清洗,然后控制30℃,40KHZ的条件进行超声清洗,最后吹干,即得经酸处理后的a面蓝宝石;所述浓硫酸的质量百分比浓度为95‑98%,所述浓磷酸为质量百分比浓度为85%的磷酸水溶液;(2)、将片状固体NaOH放入到容器中加热至温度为325‑340℃至其全部融化澄清,将步骤(1)所得的经酸处理后的a面蓝宝石放入其中,保持温度为325‑340℃持续10min后,直接用镊子立刻取出a面蓝宝石或将容器中的NaOH迅速倒出来后将a面蓝宝石取出,取出的a面蓝宝石首先经过酒精的清洗,然后进行超声清洗,最后吹干,即完成了a面蓝宝石的刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造