[发明专利]一种单片集成两段式DFB半导体激光器及阵列

摘要

本发明公开了一种单片集成两段式DFB半导体激光器及阵列，其中，该两段式DFB半导体激光器包括：无源反射光栅区和DFB半导体激光器区；无源反射光栅区和DFB半导体激光器区共用同一段波导结构，并集成在同一衬底或同一芯片上；无源反射光栅区和DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构，外延结构依次包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层；外延结构外层还包括正负电极。该两段式DFB半导体激光器利用无源反射光栅的反射特性和选频特性可同时提高DFB半导体激光器的输出效率和边模抑制比。

主权项

一种单片集成两段式DFB半导体激光器，其特征在于，包括：无源反射光栅区和DFB半导体激光器区；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区共用同一段波导结构，并集成在同一衬底或同一芯片上；所述无源反射光栅区无激光振荡，用于为所述DFB半导体激光器区提供反射；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构，所述外延结构依次包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层；所述外延结构的距离n型衬底较近的一面设有负电极，距离绝缘层较近的一面设有正电极，且与所述正电极相对应的区域不存在绝缘层。