[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成有多个伪栅极结构，在伪栅极结构的顶面上形成有保护层；在保护层、伪栅极结构暴露的四周表面和半导体衬底暴露的表面上形成掩蔽层；沉积形成牺牲层覆盖半导体衬底，其中牺牲层的顶面低于保护层上的掩蔽层的顶面；对保护层上暴露的掩蔽层进行离子注入；去除牺牲层以及位于半导体衬底表面上的部分掩蔽层；蚀刻半导体衬底，以在所述伪栅极结构的两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽中形成应力层。根据本发明的制作方法，对虚拟栅极结构起到更好的保护作用，避免多晶硅虚拟栅极的蘑菇效应的产生和多晶硅栅极去除过程中对器件的污染问题。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有多个伪栅极结构，在所述伪栅极结构的顶面上形成有保护层；在所述保护层、所述伪栅极结构暴露的四周表面和所述半导体衬底暴露的表面上形成掩蔽层；沉积形成牺牲层覆盖所述半导体衬底，其中所述牺牲层的顶面低于所述保护层上的掩蔽层的顶面；对所述保护层上暴露的掩蔽层进行离子注入，以使暴露的所述掩蔽层内的注入离子增多，在之后的蚀刻过程中，蚀刻剂会与注入离子进行反应，相对的减少对所述掩蔽层的消耗量，从而增强所述掩蔽层抵抗刻蚀的能力；去除所述牺牲层以及位于所述半导体衬底表面上的部分掩蔽层；蚀刻所述半导体衬底，以在所述伪栅极结构的两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽中形成应力层。