[发明专利]晶圆背面印胶的封装方法

摘要

本发明公开了晶圆背面印胶的封装方法，包括晶圆，胶层和基板，对整片晶圆执行减薄、刷胶、贴蓝膜、切割、上片、烘烤工艺，其包括：晶圆背面减薄、晶圆背面刷硅胶、晶圆背面贴蓝膜、晶圆切割、上片、烘烤；上述技术方案是将背面刷胶再贴蓝膜的晶圆切割为单颗晶圆颗粒，改变晶圆对DAF膜的依赖，极大降低固晶直接材料成本；避免点胶工艺不均匀造成的胶层空洞，提高封装工艺可靠性，同时提高固晶后芯片平整度，有利于焊线制程稳定，在不增加工艺复杂的情况下同，降低成本，改善晶圆和基板结合品质。

主权项

晶圆背面印胶的封装方法，包括晶圆，胶层和基板，其特征在于：所述晶圆为整片晶圆，所述胶层为硅胶层，对所述整片晶圆执行减薄工艺、刷胶工艺、贴蓝膜工艺、切割工艺、上片工艺、烘烤工艺，其包括：步骤一、减薄工艺：晶圆背面减薄，将晶圆背面朝上，用磨轮把晶圆进行磨平、减薄，将减薄后的整片晶圆置于陶瓷真空吸附平台上；步骤二、刷胶工艺：晶圆背面刷硅胶，将丝网钢板覆盖在整片晶圆的背面，丝网钢板和整片晶圆进行对位放置，在丝网钢板上涂上硅胶，用切割刀将丝网钢板上的硅胶均匀的印到整片晶圆背面形成胶膜；步骤三、贴蓝膜工艺：晶圆背面贴蓝膜，在整片晶圆背面的硅胶上面贴加蓝膜，将其边缘贴在铁环上；步骤四、切割工艺：晶圆切割，将整片晶圆和覆盖其背面的硅胶膜放在切割机上一起切割，切割后成为背面有硅胶膜的单颗晶圆，单颗晶圆的背面就形成一层均匀的硅胶膜；步骤五、上片工艺：把切割好的单颗晶圆通过固晶工艺，固定在基板上；步骤六、烘烤工艺：使单颗晶圆颗粒和基板之间进一步固化。