[发明专利]一种去除光刻胶的水系剥离液组合物在审
| 申请号： | 201510015034.2 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104614954A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 卞玉桂 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞红电子化学品有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻胶剥离液组合物，其主要用途是在半导体器件制造过程中用于去除未曝光的光刻胶。所述光刻胶剥离液包含20～70质量％的极性溶剂，5～50质量％的有机胺化合物，0.01～5质量％的表面活性剂，0.01～5质量％的腐蚀抑制剂，10～60质量％的去离子水。在所述过程中，低温下去除半导体器件中未曝光的光刻胶，并对半导体器件金属的腐蚀最小化，且对PI底膜不产生溶胀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 光刻 水系 剥离 组合 | ||
【主权项】：
权利要求1的去除光刻胶的水系剥离液的组合物，包括20～70质量％的极性溶剂。其中所述极性溶剂是一种或多种选自以下组中的化合物：1，3‑二甲基‑2‑咪唑酮(DMI)、二甲基亚砜(DMSO)、N‑甲基吡咯烷酮(NMP)、N，N‑二甲基甲酰胺(DMF)、N；N‑二甲基乙酰胺(DMAc)、二甘醇单丁醚(BDG)、甲氧基丙基乙酸酯(PGMEA)、甲基溶纤剂、乙二醇单乙醚、环丁砜。
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