[发明专利]一种非易失性查找表存储单元结构及查找表电路实现方法在审
| 申请号： | 201510015043.1 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105845174A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 叶勇;亢勇;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种非易失性查找表(nvLUT)存储单元结构及查找表电路实现方法，非易失性查找表存储单元包括：感应模块和非易失存储模块。非易失存储模块连接到感应模块，从而可由其感应出非易失存储模块中所存储的数据。感应模块由一对以正反馈形式连接的NMOS或PMOS晶体管构成。非易失存储模块为2T2R结构，即一对控制开关晶体管和一对互补的电阻型存储器。进一步的，为了降低芯片面积，若干个非易失存储模块可以公用一个感应模块。本发明还包括基于非易失性查找表存储单元的查找表电路实现方法。本发明能够克服传统查找表的缺点，并且功耗低、面积小，同时能够兼容标准的CMOS工艺，有利于大规模集成和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 查找 存储 单元 结构 电路 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性查找表存储单元结构，其特征在于，包括：感应模块：由一对以正反馈形式连接的NMOS或PMOS晶体管构成；非易失存储模块，包括一对控制开关晶体管和一对互补的电阻型存储器；所述非易失存储模块连接至所述感应模块，并由所述感应模块读出所述非易失存储模块所存储的数值。
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