[发明专利]一种异质结太阳能电池的制造方法及异质结太阳能电池在审
申请号: | 201510016189.8 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN104600136A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 郁操;杨苗;李沅民;张津燕;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 福建铂阳精工设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市清华源律师事务所 11441 | 代理人: | 沈泳;李赞坚 |
地址: | 362000 福建省泉州市锂*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请公开了一种异质结太阳能电池的制造方法,包括:提供异质结太阳能电池第一结构,所述第一结构包括基片、设置于所述基片两侧的本征层以及两侧本征层上分别设置的第一掺杂层和第二掺杂层;在所述第一掺杂层和/或第二掺杂层上形成保护层,形成有所述保护层的异质结太阳能电池结构称为异质结太阳能电池第二结构;在所述异质结太阳能电池第二结构的两侧形成透明导电层,或者在所述异质结太阳能电池第二结构的一侧且位于所述保护层上形成透明导电层,所述异质结太阳能电池第二结构的另一侧且位于所述保护层上形成透明导电氧化物/金属复合层;使得在沉积透明导电层时,由于存在保护层,能够避免沉积透明导电层对基片表面钝化效果的破坏,提高光电转换效率及电池性能。此外,本申请还提供通过上述方法制造的一种异质结太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供异质结太阳能电池第一结构,所述第一结构包括基片、设置于所述基片两侧的本征层以及两侧本征层上分别设置的第一掺杂层和第二掺杂层;在所述第一掺杂层和/或第二掺杂层上形成保护层,形成有所述保护层的异质结太阳能电池结构称为异质结太阳能电池第二结构;在所述异质结太阳能电池第二结构的两侧形成透明导电层;或者在所述异质结太阳能电池第二结构的一侧且位于所述保护层上形成透明导电层,另一侧形成透明导电氧化物/金属复合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的