[发明专利]纳米柱状电极、纳米结构超级电容以及其制备方法在审
| 申请号： | 201510016379.X | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845447A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州复纳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 215501 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米柱状电极，所述纳米柱状电极形成在能发生金属硅化反应的半导体衬底上，其中，所述纳米柱状电极至少部分地通过包括若干半导体纳米柱的所述半导体衬底与至少保形地覆盖所述半导体纳米柱的金属材料层发生金属硅化反应的生成物形成。本发明的纳米柱状电极以半导体纳米柱为模板，结合运用金属硅化处理来形成三维结构的纳米柱状电极，制备过程简单、成本低，并且以该纳米柱状电极为下电极模板可以制备纳米结构超级电容，该纳米结构超级电容的电容密度高、结构简单、成本低、性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 柱状 电极 结构 超级 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米柱状电极(110)，其特征在于，所述纳米柱状电极(110)形成在能发生金属硅化反应的半导体衬底(100)上，其中，所述纳米柱状电极(110)至少部分地通过包括若干半导体纳米柱(105)的所述半导体衬底(100)与至少保形地覆盖所述半导体纳米柱(105)的金属材料层发生金属硅化反应的生成物(111，112)形成。
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