[发明专利]一种二极管及其制作方法

摘要

本发明实施例涉及导体芯片制作工艺技术领域，尤其涉及一种二极管及其制作方法，用以解决现有技术中存在的因制作工艺参数的限制，不容易得到较宽横流区的恒流二极管的问题。本发明实施例包括：在外延层表面形成沟槽；通过高能粒子注入方式分M次向沟槽内注入离子，形成第一导电类型阱区；M为大于1的整数，经过后续处理形成二极管。由于通过高能粒子注入的方式形成第一导电类型阱区，从而使第一导电类型阱区的深度更深，且第一导电类型阱区之间的间距更小，进一步由于通过分M次向沟槽内注入离子，从而可使第一导电类型阱区中的粒子浓度更加均匀，从而得到较宽横流区、性能较好的恒流二极管。

主权项

一种二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在外延层上形成氧化层和掩膜层；对所述氧化层和所述掩膜层进行光刻和刻蚀，在所述外延层表面形成沟槽；通过高能粒子注入方式分M次向所述沟槽内注入离子，形成第一导电类型阱区；其中，M为大于1的整数；在所述外延层上依次进行光刻、注入，形成第二导电类型源区；在所述外延层依次制作介质层、正面金属层；在衬底背面制作背面金属层。