[发明专利]一种检测金属缺陷的方法有效
| 申请号： | 201510016711.2 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845590B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测金属缺陷的方法，包括步骤：1)提供待检测的金属线，所述金属线埋设在介质层中由介质层隔离；2)去除其中一条金属线一端上的介质层，露出该端头，并用探针接触；3)用电子束打在同一条金属线的另一端，并将电子束移向探针端，或者用电子束打在另一条金属线的一端上，并将电子束沿着金属线移动，电子束移动过程中，从探针端读取吸收电流值，若发现电流值出现变化，则说明存在金属缺陷。本发明利用电子束作为电流源，通过电子束移动引起电流的变化来探测并定位缺陷的位置。本发明不需要将整条金属线全部暴露，不会引进新的金属缺陷，并且操作简单，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 金属 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测金属缺陷的方法，其特征在于，所述方法至少包括：/n1)提供待检测的金属线，所述金属线埋设在介质层中由介质层隔离；/n2)去除其中一条金属线一端上的介质层，以露出所述金属线的一端，并用探针接触；/n3)用电子束打在同一条金属线的另一端，并将电子束移向探针端，或者用电子束打在另一条金属线的一端上，并将电子束沿着金属线移动，电子束移动过程中，从探针端读取吸收电流值，若发现电流值出现变化，则说明在电流变化处存在引起开路或者引起短路的金属缺陷；/n所述步骤3)中对于电子束和探针分别位于两条金属线上且为相反端的情况，若发现电子束移动过程中，探针端读取的吸收电流值呈现先变大后变小的趋势，则说明这两条金属线之间存在引起短路的缺陷，缺陷位置为电流最大值附近；/n所述步骤3)中对于电子束和探针分别位于两条金属线上且为相同端的情况，若发现电子束移动过程中，探针端读取的吸收电流值呈现先变大后变小的趋势，则说明这两条金属线之间存在引起短路的缺陷，缺陷位置为电流最大值附近。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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