[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。存储元件包括多个位线组、多个串选择晶体管栅极、多个电荷储存层以及多个接触窗插塞。多个位线组配置于基底上，每一组位线组包括在第一方向排列的多条位线，每一位线沿第二方向延伸。每一串选择晶体管栅极与两组位线组连接，并且每一组位线组被两个串选择晶体管栅极控制。串选择晶体管栅极包括主体部与多个延伸部，延伸部由所述主体部延伸至每两条所述位线之间，且彼此相对设置。电荷储存层位于串选择晶体管栅极与位线之间。接触窗插塞位于每一串选择晶体管栅极上，与串选择晶体管栅极电性连接。

主权项

1.一种存储元件，包括：多个位线组，配置于基底上，每一组位线组包括在第一方向排列的多条位线，每一位线沿第二方向延伸；多个串选择晶体管栅极，每一所述串选择晶体管栅极与两组所述位线组连接，并且每一组位线组被两个所述串选择晶体管栅极控制，所述串选择晶体管栅极包括主体部与多个延伸部，所述延伸部由所述主体部延伸至每两条所述位线之间，且彼此相对设置；多个电荷储存层，位于所述串选择晶体管栅极与所述位线之间；以及多个接触窗插塞，位于每一所述串选择晶体管栅极上，与所述串选择晶体管栅极电性连接。