[发明专利]一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510018733.2 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105845563B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王智东;傅俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法，该方法至少包括：提供一位于反应腔室中且覆盖有光阻图形的氧化硅结构；接着将所述反应腔室中通入第一氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构形成第一沟槽；接着停止第一氟碳化合物气体的供给并将所述反应腔室中通入第二氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构，形成与所述第一沟槽贯通的第二沟槽；控制所述第二沟槽与所述第一沟槽深度的比例使得所述第二沟槽的底部平坦化。本发明通过控制C2F6和C4F8对二氧化硅沟槽刻蚀深度的比例使得二氧化硅沟槽底部呈平坦化。同时取代氮化硅作为阻挡层而节省了生产的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 氧化 沟槽 底部 平坦 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法，其特征在于，该方法至少包括：(1)提供一位于反应腔室中且覆盖有光阻图形的氧化硅结构(10)；(2)将所述反应腔室中通入第一氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构形成第一沟槽(11)；(3)停止第一氟碳化合物气体的供给并将所述反应腔室中通入第二氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构，形成与所述第一沟槽贯通的第二沟槽(12)；控制所述第二沟槽与所述第一沟槽深度的比例使得所述第二沟槽的底部平坦化；其中，所述第一氟碳化合物气体为C2F6，所述第二氟碳化合物气体为C4F8；或所述第一氟碳化合物气体为C4F8，所述第二氟碳化合物气体为C2F6；其中，所述C2F6与所述C4F8对所述氧化硅的刻蚀深度比为1.6:1～1.8:1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510018733.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅片分片装置及硅片装卸系统
- 下一篇：蚀刻方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
