[发明专利]激光三维成像装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510019136.1 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105842706B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 邢超;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01S17/89 | 分类号： | G01S17/89;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种激光三维成像装置及其制作方法，包括步骤：提供第一半导体晶圆；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触孔；填充接触孔，并在接触孔上形成金属连线；在接触孔、金属连线、APD和衬底上形成介质层；在介质层上形成玻璃层；研磨第一半导体晶圆的背面直到露出接触孔的底部；在所述第一半导体晶圆的背面形成掺杂区；形成与掺杂区互连的互连电极；提供第二半导体晶圆，其包括CMOS电路和金属层；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆相对重叠放置，并将第二半导体晶的金属层和第一半导体晶圆背面的互连电极对应键合。本发明的激光三维成像装置及其制作方法，将三维APD阵列和CMOS像素原位信号放大器纵向的整合为一个器件，从而明显减小了电路的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 三维 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光三维成像装置的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供第一半导体晶圆，其包括衬底和位于衬底上的APD；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触孔；填充接触孔，并在接触孔上形成金属连线；在接触孔、金属连线、APD和衬底上形成介质层；在介质层上形成玻璃层；研磨第一半导体晶圆的背面直到露出接触孔的底部；在所述第一半导体晶圆的背面形成掺杂区；形成与掺杂区互连的互连电极；提供第二半导体晶圆，其包括CMOS电路，以及与CMOS电路互连的金属层；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆相对重叠放置，并将第二半导体晶的金属层和第一半导体晶圆背面的互连电极对应键合。
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