[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510019215.2 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105845571B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 胡建强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，先在基底上形成栅介质层，然后形成图案化的光刻胶掩膜层，通过光刻胶掩膜层的掩膜作用进行离子注入，然后去除光刻胶掩膜层并退火，形成袋状掺杂区。之后，形成栅极材质，再在栅极材质上形成与前述相同的光刻胶掩膜层，并刻蚀形成栅极。由于袋状掺杂区是在前期通过深宽比较小的光刻胶作掩膜进行离子注入而形成的，因此避免了栅极间沟槽深宽比过高而对袋状注入的阻碍作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，并在所述基底表面形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第一图案化的光刻胶掩膜层，对所述第一图案化的光刻胶掩膜层露出的区域进行离子注入，以形成袋状掺杂区；去除所述第一图案化的光刻胶掩膜层，并在所述基底上沉积栅极材质；在所述栅极材质上形成第二图案化的光刻胶掩膜层，所述第二图案化的光刻胶掩膜层与第一图案化的光刻胶掩膜层采用相同的掩膜板形成；以所述第二图案化的光刻胶掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极材质，形成多个栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
