[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510019256.1 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105845555B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴健豪;李懿庭 | 申请（专利权）人： | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 210038 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的题目是一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供一透光衬底，其具有一可视区及一非可视区；共平面地形成一栅极及至少一对位记号于透光衬底上，栅极位于可视区，对位记号位于非可视区；形成一栅极绝缘层覆盖于栅极及对位记号上；形成一氧化半导体层于栅极绝缘层上，并位于栅极上方；以及形成一蚀刻终止层于栅极及对位记号上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供一透光衬底，其具有一可视区及一非可视区；共平面地形成一栅极及至少一对位记号于所述透光衬底上，其中所述栅极位于所述可视区，所述对位记号位于所述非可视区；形成一栅极绝缘层覆盖于所述栅极及所述对位记号上；形成一氧化半导体层于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极上方；以及形成一蚀刻终止层于所述栅极及所述对位记号上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
