[发明专利]引线焊垫结构及其形成方法有效
申请号: | 201510019493.8 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN105845659B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 张贺丰;侯大维 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种引线焊垫结构及其形成方法,引线焊垫结构中,引线焊垫覆盖金属线的顶端以及金属线部分侧表面,并通过金属线与顶层金属互连线连接;由于引线焊垫的边缘形成封闭包围金属线顶部部分侧表面的翻边,因此,引线焊垫除了与其覆盖的金属线顶端端面之间存在粘附力之外,还会受到封闭包围金属线侧表面的翻边的约束应力,该约束应力的大小取决于翻边的形变屈服应力和/或拉伸屈服应力,相应地,若要使引线焊垫从其覆盖的金属线端面翘起,则除了克服上述粘附力之外,还需要克服翻边对引线焊垫产生的约束应力,从而避免了机械应力过大导致引线焊垫金属剥落,造成半导体芯片报废的问题。 | ||
搜索关键词: | 引线 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种引线焊垫结构形成方法,其特征在于,包括:提供半导体芯片,所述半导体芯片具有位于最上层的电介质层,所述电介质层中形成有顶层金属互连线;在所述半导体芯片表面沉积钝化层,并在所述钝化层中形成与所述顶层金属互连线连接的金属线;刻蚀所述钝化层形成沟槽,以暴露所述金属线的顶端以及部分侧面;在沟槽内沉积引线焊垫材料层,以覆盖所述金属线的顶端以及金属线部分侧面;刻蚀所述引线焊垫材料层形成引线焊垫,所述金属线部分嵌入所述引线焊垫;其中,在所述半导体芯片表面沉积钝化层,并在所述钝化层中形成与所述顶层金属互连线连接的金属线包括:在所述半导体芯片表面沉积第一钝化层,在所述第一钝化层中形成与所述顶层金属互连线连接的金属线;在所述第一钝化层和所述金属线顶端沉积第二钝化层;其中,刻蚀所述钝化层形成沟槽,以暴露所述金属线的顶端以及部分侧面包括:在所述第二钝化层表面形成具有第二开口的第二图案化光刻胶层,所述第二开口对准所述金属线,且所述第二开口的宽度大于所述金属线的宽度;以所述第二图案化光刻胶为掩膜,对第二钝化层和第一钝化层进行刻蚀,以形成暴露所述金属线的顶端以及部分侧面的沟槽。
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