[发明专利]电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510020333.5 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845691B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 颜精一;蔡武卫;高伟程;陈韦翰 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 根据本发明实施例提供一种包含至少一电子元件的电子器件及其制造方法。上述电子器件包括衬底、半导体层、绝缘层、第一金属层、软质层、至少一第一开孔以及至少一第二金属层。半导体层配置在衬底上，绝缘层配置在半导体层上，第一金属层配置在绝缘层上。绝缘层与半导体层或第一金属层的图案一致。软质层配置在衬底上，且包覆半导体层、绝缘层与第一金属层，软质层的杨氏系数小于40十亿帕斯卡。至少一第一开孔贯穿软质层。至少一第二金属层配置在软质层上以及第一开孔中，以电性连接半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其包含至少一电子元件，其特征在于，包括：/n一衬底；/n一半导体层，配置在该衬底上；/n一绝缘层，配置在该半导体层上；/n一第一金属层，配置在该绝缘层上，且该第一金属层与该绝缘层的图案一致；/n一保护层，配置在该第一金属层上，且该保护层与该第一金属层的图案一致；/n一软质层，配置在该衬底上，且包覆并直接接触该半导体层、该绝缘层、该第一金属层与该保护层；/n至少一第一开孔，贯穿该软质层以外露该半导体层；以及/n至少一第二金属层，配置在该软质层上与该至少一第一开孔中，且直接接触该半导体层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
