[发明专利]一种高耐压半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510020385.2 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845727B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈宗高;陈轶群;王海强;袁秉荣;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高耐压半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件，包括第一掺杂类型的半导体衬底、位于所述半导体衬底内的第一掺杂类型的第一阱区与第二掺杂类型的第二阱区、位于所述第一阱区内的源极、位于所述第二阱区内的漏极、以及位于所述半导体衬底上的栅极结构，还包括位于所述第二阱区内的第一浅沟槽隔离部分和与所述第一浅沟槽隔离部分并列且间隔设置的第二浅沟槽隔离部分，其中，在所述第一浅沟槽隔离部分和所述第二浅沟槽隔离部分之间设置第一掺杂类型的耗尽区域。由此，本发明提供了一种具有较高的击穿电压的LDMOS及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括第一掺杂类型的半导体衬底、位于所述半导体衬底内的第一掺杂类型的第一阱区与第二掺杂类型的第二阱区、位于所述第一阱区内的源极、位于所述第二阱区内的漏极、以及位于所述半导体衬底上的栅极结构，还包括位于所述第二阱区内的第一浅沟槽隔离部分和与所述第一浅沟槽隔离部分并列且间隔设置的第二浅沟槽隔离部分，其特征在于，在所述第一浅沟槽隔离部分和所述第二浅沟槽隔离部分之间设置第一掺杂类型的耗尽区域，所述第一掺杂类型的耗尽区域包括轻掺杂的第一掺杂类型的下耗尽区域和重掺杂的第一掺杂类型的上耗尽区域。
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