[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510020388.6 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845728B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨广立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底内的漂移区和体区、位于漂移区内的场板和漏极、位于体区内的体电极和源极、位于漂移区与体区上方的栅极结构，还包括位于半导体衬底内且位于漂移区下方并与其相邻接的附加离子注入区，附加离子注入区与漂移区的掺杂类型相反，且漂移区位于场板下方的部分形成有延伸入附加离子注入区的锯齿结构。该半导体器件由于具有附加离子注入区，且漂移区形成有延伸入附加离子注入区的锯齿结构，因而可以提高耐压性，降低开态电阻。本发明方法制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括该半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底(200)、位于所述半导体衬底内的漂移区(201)和体区(203)、位于所述漂移区内的场板(202)和漏极(2042)、位于所述体区内的体电极(2043)和源极(2041)、位于所述半导体衬底上且位于所述漂移区与所述体区上方的栅极结构(205)，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述漂移区下方并与所述漂移区相邻接的附加离子注入区(2001)，其中，所述附加离子注入区的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相反，并且所述漂移区位于所述场板下方的部分形成有延伸入所述附加离子注入区的锯齿结构(2011)。
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