[发明专利]高压电阻有效
| 申请号： | 201510020955.8 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845738B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;王焜;文燕;石金成;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/8605 | 分类号： | H01L29/8605;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压电阻，包括：N型衬底、位于所述N型衬底表层内且分离设置的N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区和第三P型掺杂区；位于所述N型衬底表面上的第一厚氧化层、第二厚氧化层、第三厚氧化层和第四厚氧化层；位于所述第二P型掺杂区和所述第三P型掺杂区之间，且位于所述N型衬底表层内的第四P型掺杂区，位于各厚氧化层之间，且覆盖衬底表面的薄氧化层；P型多晶硅，所述P型多晶硅覆盖位于所述第一P型掺杂区和所述第二P型掺杂区之间区域上方的薄氧化层的表面，并延伸覆盖所述第三厚氧化层的部分表面。本发明提供的高压电阻不易受栅端信号影响，能够调节单个电阻的阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种高压电阻，其特征在于，包括：N型衬底(1)、位于所述N型衬底(1)表层内且分离设置的N型掺杂区(10)、第一P型掺杂区(5)、第二P型掺杂区(8)和第三P型掺杂区(9)；其中，所述第一P型掺杂区(5)位于所述N型掺杂区(10)和所述第二P型掺杂区(8)之间，所述第二P型掺杂区(8)位于所述第一P型掺杂区(5)和所述第三P型掺杂区(9)之间；位于所述N型衬底(1)表面上的第一厚氧化层(11)、第二厚氧化层(12)、第三厚氧化层(3)和第四厚氧化层(7)；其中，所述第一厚氧化层位于所述N型掺杂区(10)远离所述第一P型掺杂区(5)的一侧；所述第二厚氧化层位于所述N型掺杂区(10)和所述第一P型掺杂区(5)之间；所述第三厚氧化层(3)位于所述第二P型掺杂区(8)的表面上、所述第四厚氧化层(7)位于所述第三P型掺杂区(9)的表面上；位于所述第二P型掺杂区(8)和所述第三P型掺杂区(9)之间，且位于所述N型衬底(1)表层内的第四P型掺杂区(6)；位于各厚氧化层之间，且覆盖衬底表面的薄氧化层(2)；P型多晶硅(4)，所述P型多晶硅(4)覆盖位于所述第一P型掺杂区(5)和所述第二P型掺杂区(8)之间区域上方的薄氧化层(2)的表面，并延伸覆盖所述第三厚氧化层(3)的部分表面；其中，所述第一P型掺杂区(5)、所述N型掺杂区(10)与所述P型多晶硅(4)短接在一起，构成所述电阻的高压端，所述第四P型掺杂区(6)、所述第二P型掺杂区(8)与所述第三P型掺杂区(9)构成所述电阻的低压端。
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