[发明专利]一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510020963.2 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104614117A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 黄贤;刘鹏;张大成;姜博岩;王玮;何军;田大宇;杨芳;罗葵;李婷;张立 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;G01L1/22 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，其中，压阻式压力计芯片结构包括压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线、硅应变膜、玻璃底座以及硅应变膜和玻璃底座之间的空腔，该结构的压力传感器相比典型器件结构具有工艺简单、芯片尺寸小的优点；同时采用阳极键合和硅片减薄工艺，该设计加工方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工成本低，具有较高的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压阻式 压力计 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压阻式压力计芯片结构，包括压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线、硅应变膜、玻璃底座以及硅应变膜和玻璃底座之间的空腔，所述硅应变膜为与玻璃底座阳极键合并在非键合面上进行了减薄处理的硅片，所述空腔为位于玻璃底座内并通过玻璃底座与硅应变膜的阳极键合形成的密封空腔，所述硅应变膜的键合面上具有压敏电阻、重掺杂接触区、引线孔、金属引线和金属焊盘，所述压敏电阻密封在上述空腔内，所述金属引线和金属焊盘通过引线孔、重掺杂接触区与压敏电阻实现电信号连接。
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