[发明专利]两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料及其制备工艺，涉及电缆料生产技术领域，包括A料和B料，所述A料经计量、干燥、塑化、混合、挤出、造粒、水下切割和干燥后制成，B料经计量、混合后制成，最后均采用铝塑真空包装而成。本发明以三种不同类型的聚乙烯为主要原料，同时加入纳米陶瓷粉进行改性，并加入其它各种功能助剂，通过两步法制得目标绝缘料，该绝缘料呈黑色，并且具有良好的电绝缘性能、机械性能、优异的抗老化和耐紫外线能力，长期允许最高工作温度为90℃，适用于10KV及以下交联架空电线电缆。

主权项

一种两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，包括A料和B料，其特征在于，所述A料由如下质量份数的原料制成：高密度聚乙烯60‑65份、线性低密度聚乙烯40‑45份、低密度聚乙烯15‑20份、纳米陶瓷粉10‑12份、聚乙二醇10‑12份、玻璃纤维8‑10份、聚氯乙烯8‑10份、硅烷偶联剂5‑8份、三氧化二锑5‑8份、蒙脱土4‑6份、抗氧剂3‑5份、紫外线吸收剂3‑5份、抗回缩剂2‑5份、阻燃剂2‑3份、聚乙烯蜡1‑2份、N‑取代马来酰亚胺0.1‑0.5份。所述B料由如下质量份数的原料制成：高密度聚乙烯55‑60份、线性低密度聚乙烯35‑40份、低密度聚乙烯15‑20份、炭黑母料12‑15份、硅藻土5‑8份、聚乙烯醇3‑5份、二甲基硅油3‑5份。