[发明专利]发光二极管芯片

摘要

本发明揭示了一种发光二极管芯片，包括自下而上设置的第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、电流阻挡层，以及透明导电层和电极；透明导电层位于第二型半导体层上，且覆盖电流阻挡层；电极位于与电流阻挡层相对应的透明导电层上；电流阻挡层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，且高折射率层与低折射率层交互堆栈，高折射率层包括第一高折射率层与第二高折射率层，低折射率层包括低折射率底层，位于第二型半导体层与第一高折射率层之间；第一低折射率层，位于第一高折射率层与第二高折射率层之间；以及第二低折射率层，位于第二高折射率层与透明导电层之间，且低折射率底层的厚度大于其他低折射率层与高折射率层的厚度。

主权项

一种发光二极管芯片，其特征在于包括：第一型半导体层；发光层，位于该第一型半导体层上；第二型半导体层，位于该发光层上；电流阻挡层，位于该第二型半导体层上；透明导电层，位于该第二型半导体层上，且覆盖该电流阻挡层；以及电极，位于与该电流阻挡层相对应的该透明导电层上；其中，该电流阻挡层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，且该些高折射率层与该些低折射率层交互堆栈，该些高折射率层包括第一高折射率层与第二高折射率层，且该些低折射率层包括：低折射率底层，位于该第二型半导体层与该第一高折射率层之间；第一低折射率层，位于该第一高折射率层与该第二高折射率层之间；以及第二低折射率层，位于该第二高折射率层与该透明导电层之间，且该低折射率底层的厚度大于其他该些低折射率层与该些高折射率层的厚度。