[发明专利]一种静电吸盘及其制造方法有效
申请号: | 201510023342.X | 申请日: | 2015-01-16 |
公开(公告)号: | CN105845613B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 王锦喆 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种静电吸盘及其制造方法,所述制造方法包括步骤:提供一冷却基座,于所述冷却基座上制作包含有依次层叠的导热胶、绝缘层、电极层、电介质层、以及碳化层的多层结构,其中,将形成有电极层的电介质层进行一次烧结后再与绝缘层进行二次烧结,实现原子间的结合。本发明的静电吸盘的加工工艺与传统的加工工艺相比大大提高了其粘合强度,由于采用陶瓷烧结工艺,使得静电吸盘气泡的存在大大降低,从而可以有效降低废品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 吸盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸盘的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括步骤:提供一电介质层,于所述电介质层的一个表面上采用物理方法形成电极层;将形成有电极层的电介质层进行一次烧结;将绝缘层与一次烧结完成后的电介质层及电极层对齐后进行二次烧结,将电极层置于电介质层与绝缘层之间;将二次烧结后的电介质层、电极层及绝缘层中的绝缘层通过导热胶与冷却基座进行粘合;将电介质层、电极层及绝缘层与所述冷却基座粘合后,通过溅射或蒸镀工艺在所述电介质层表面形成碳化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造