[发明专利]通过放电加工对具有触点金属化的半导体管芯的分割有效

专利信息
申请号: 201510023429.7 申请日: 2015-01-16
公开(公告)号: CN104795360B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: M.勒斯纳;M.施内甘斯;G.施特兰茨尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B28D5/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 蒋骏,徐红燕
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 通过放电加工对具有触点金属化的半导体管芯的分割。分离半导体晶片的各个管芯的方法包括在半导体晶片的第一表面上形成金属层,半导体晶片包括多个管芯;使多个管芯彼此分离;以及将金属层放电加工成各个区段,所述区段中的每一个区段保持附着于管芯之一。也提供了由这样的方法生产的对应的半导体管芯。
搜索关键词: 通过 放电 加工 具有 触点 金属化 半导体 管芯 分割
【主权项】:
一种分离半导体晶片的各个管芯的方法,所述方法包括:在半导体晶片的第一表面上形成金属层,所述半导体晶片包括多个管芯;使所述多个管芯彼此分离;以及将所述金属层放电加工成各个区段,所述区段中的每一个区段保持附着于所述管芯之一,其中将所述金属层放电加工成各个区段包括:将至少一个电极定位在所述管芯中的邻近管芯之间的所述金属层的区之上;以及将足以从所述至少一个电极所覆盖的所述金属层的每一个区释放金属离子的高电压高频脉冲施加到所述至少一个电极和所述金属层。
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