[发明专利]通过放电加工对具有触点金属化的半导体管芯的分割有效
申请号: | 201510023429.7 | 申请日: | 2015-01-16 |
公开(公告)号: | CN104795360B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | M.勒斯纳;M.施内甘斯;G.施特兰茨尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 蒋骏,徐红燕 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通过放电加工对具有触点金属化的半导体管芯的分割。分离半导体晶片的各个管芯的方法包括在半导体晶片的第一表面上形成金属层,半导体晶片包括多个管芯;使多个管芯彼此分离;以及将金属层放电加工成各个区段,所述区段中的每一个区段保持附着于管芯之一。也提供了由这样的方法生产的对应的半导体管芯。 | ||
搜索关键词: | 通过 放电 加工 具有 触点 金属化 半导体 管芯 分割 | ||
【主权项】:
一种分离半导体晶片的各个管芯的方法,所述方法包括:在半导体晶片的第一表面上形成金属层,所述半导体晶片包括多个管芯;使所述多个管芯彼此分离;以及将所述金属层放电加工成各个区段,所述区段中的每一个区段保持附着于所述管芯之一,其中将所述金属层放电加工成各个区段包括:将至少一个电极定位在所述管芯中的邻近管芯之间的所述金属层的区之上;以及将足以从所述至少一个电极所覆盖的所述金属层的每一个区释放金属离子的高电压高频脉冲施加到所述至少一个电极和所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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