[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510023552.9 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104821308B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 小木曾浩二;东和幸;右田达夫 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本实施方式，可提供一种半导体装置。半导体装置包括贯通孔、铜层、以及金属部。贯通孔贯通半导体基板的正面及背面。所述铜层形成在所述贯通孔的内部。所述金属部是由铜以外的金属形成在比所述铜层更靠所述贯通孔的孔芯侧，并且内包空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：贯通孔，贯通半导体基板的正面及背面，基板正面侧的一个开口的尺寸小于基板背面侧的另一个开口的尺寸，并且深度方向的尺寸大于与所述深度方向正交的方向的尺寸；铜层，在贯通所述基板的正面及背面的所述贯通孔的内部，从贯通孔内部将所述基板背面的贯通孔开口部被覆而形成；以及金属部，由铜以外的金属形成在比所述铜层更靠所述贯通孔的孔芯侧的贯通孔内部，内包空腔并且将所述基板正面的贯通孔开口部封闭；所述金属部是由含有金、银、镍、钴、钽、铂、铱、钌、锇、铼、钼、铌、硼、铪中的至少一种金属的材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510023552.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法
- 下一篇：光传感器装置
