[发明专利]金刚石同质外延横向生长方法在审
| 申请号： | 201510023907.4 | 申请日： | 2015-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104651928A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;李硕业;王玮;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 王宏兴 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石同质外延横向生长方法，包括步骤一、在单晶金刚石衬底表面沉积掩膜层；步骤二、在衬底沉积有掩膜层的表面进行图形化处理，形成图形化表面的衬底，该图形化衬底表面被分为同质外延生长区域和横向生长区域；步骤三、在同质外延生长区域进行金刚石同质外延生长，并在横向生长区域进行的金刚石横向生长。结合横向生长方法，对于现有的单晶金刚石同质外延生长技术进行改进，能够有效的生长出位错密度低、质量高、表面光滑的单晶金刚石薄膜，降低了外延生长电子器件级单晶金刚石薄膜的难度，提高了薄膜质量；同时该技术可以用于单晶金刚石薄膜生长结构的控制，以方便地获得MEMS等所需的单晶金刚石微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 同质 外延 横向 生长 方法 | ||
【主权项】：
金刚石同质外延横向生长方法，其特征在于，步骤一、在单晶金刚石衬底表面沉积掩膜层；步骤二、在衬底沉积有掩膜层的表面进行图形化处理，形成图形化表面的衬底，该图形化衬底表面被分为同质外延生长区域和横向生长区域；步骤三、通过在同质外延生长区域进行金刚石同质外延生长，并在横向生长区域进行金刚石横向生长，在衬底上生长出单晶金刚石薄膜。
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