[发明专利]超结MOSFET的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种超结MOSFET的制作方法。该方法包括：在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层、多晶硅层、氧化层和氮化硅层；并进行光刻、刻蚀处理形成窗口；沿着窗口向N型外延层注入P型离子形成碗口状的P-区；从露出的N型外延层的上表面向下穿过P-区刻蚀出沟槽；在沟槽中生长P型外延层；通过光刻处理在P型外延层中形成N+区；生长介质层，并对介质层进行光刻、刻蚀处理；生长金属层，并对金属层进行光刻、刻蚀处理，以完成超结MOSFET的制作。本发明实施例制作超结MOSFET需要四次光刻处理，相对于制作超结MOSFET需要五次光刻，减少了光刻处理次数，节省了工艺制作成本。

主权项

一种超结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层、多晶硅层、氧化层和氮化硅层；对所述栅氧化层、所述多晶硅层、所述氧化层和所述氮化硅层进行光刻、刻蚀处理，以露出所述N型外延层，形成多晶硅栅极，所述多晶硅栅极之间形成窗口；沿着所述窗口向所述N型外延层注入P型离子，并对注入的所述P型离子进行推结扩散，使所述P型离子在所述N型外延层中形成碗口状的P‑区；从露出的所述N型外延层的上表面向下穿过所述P‑区刻蚀出沟槽，所述沟槽的宽度小于所述P‑区的宽度，所述沟槽的深度大于所述P‑区的深度；在所述沟槽中生长P型外延层，使所述P型外延层填满所述沟槽；通过光刻处理在所述P型外延层中形成N+区，所述N+区与所述P‑区相邻，且所述N+区的宽度小于所述P型外延层宽度的一半；在所述N+区、所述P型外延层和所述氮化硅层上表面生长介质层，并对所述介质层进行光刻、刻蚀处理，以露出所述N+区上表面的一部分，形成接触孔；在露出的所述N+区、所述P型外延层和所述介质层上表面生长金属层，并对所述金属层进行光刻、刻蚀处理，以完成所述超结MOSFET的制作。