[发明专利]基于AlN改性聚合物复合介质的TSV再分布层制备方法

摘要

本发明提供了一种基于AlN改性聚合物复合介质的TSV再分布层制备方法，包括以下步骤：(1)混合聚合物介质材料和AlN粉末；(2)在TSV晶圆上制备再分布层布线及上下层金属连接柱；(3)将混合浆料涂覆在再分布线已完成的晶圆表面；(4)固化混合浆料，形成AlN改性聚合物复合介质；(4)对复合介质层研磨平坦化，露出连接柱，即完成单层再分布层制备；(5)重复步骤(2)到步骤(4)即可获得多层再分布层。该方法流程具有简便、高效、低成本的优势，与常规工艺兼容。与传统聚合物介质相比，AlN改性聚合物介质具有更高的机械强度和热导率、更低的热膨胀系数，拥有明显的比较优势，在微电子封装领域具有良好的应用前景。

主权项

一种基于AlN改性聚合物复合介质的TSV再分布层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将液态有机聚合物介质前驱体和AlN粉末充分混合，使AlN粉末均匀分散在有机聚合物介质材料中，得到混合浆料；(2)在TSV晶圆上制备再分布层布线及上下层金属连接柱；(3)将步骤(1)所制备的混合浆料均匀涂覆在再分布互连线已经完成的晶圆表面；(4)烘干固化上述混合浆料，形成AlN改性的聚合物复合介质层；(5)对成型的复合介质层进行研磨平坦化处理，露出金属连接柱，即完成单层再分布层制备；(6)重复步骤(2)到步骤(4)即获得多层再分布层布线。