[发明专利]真空处理装置和真空处理方法有效
申请号: | 201510024499.4 | 申请日: | 2015-01-16 |
公开(公告)号: | CN104795344B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 榎本忠;高桥喜一;田中恵一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/68;H01L21/677;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供真空处理装置和真空处理方法。该真空处理装置具备:基板的载置区域,其以随着旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧,在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部;升降构件,其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降;以及排气机构,其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种真空处理装置,其中,该真空处理装置具备:处理容器,其内部被排气而形成为真空气氛;旋转台,其设置在所述处理容器内;基板的载置区域,其以随着所述旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧,在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部;气体供给部,其用于向所述旋转台上的基板供给处理气体;升降构件,其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降;以及排气机构,其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气,其中,所述排气机构在旋转台的另一个面侧具备划分构件,该划分构件用于形成与所述旋转台的一个面侧划分开并且要被排气的排气空间,在所述旋转台上设有气体吸引路径,为了通过对所述排气空间进行排气而对所述间隙进行排气,该气体吸引路径的一端在旋转台的一个面侧开口,并且该气体吸引路径的另一端能够与所述排气空间连通,所述排气空间与所述旋转台分开地形成,所述排气机构具备流路形成构件,该流路形成构件的一端与所述排气空间连通,并且该流路形成构件形成被划分出的气体流路,该真空处理装置设有移动机构,该移动机构为了切换所述流路形成构件的另一端连接于所述气体吸引路径的状态和解除所述连接的状态而使该流路形成构件移动。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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