[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的结构和制造方法在审
| 申请号： | 201510025362.0 | 申请日： | 2015-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105633155A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 肖胜安 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200137 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的元胞结构，所述元胞结构中至少包含第一种导电类型的半导体源区，第二种导电类型的半导体阱区，沟槽，沟槽栅氧化膜，第一种导电类型的半导体漂移区，置于所述第一种导电类型的半导体漂移区和所述第二种导电类型的半导体阱区之间的第一种导电类型的半导体增强型积累区，相邻的所述第一种导电类型的半导体增强型积累区之间的第二种导电类型的半导体电荷补偿区。本发明通过引入第二种导电类型的半导体电荷补偿区和第一种导电类型的半导体增强型积累区，可以在得到同样的金属-氧化物半导体场效应晶体管的击穿电压的情况下，进一步减小金属-氧化物半导体场效应晶体管的导通电阻，并改善器件的耐冲击能力和开关性能。本发明还公开了一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管的元胞结构，其特征是：所述元胞结构中至少包含第一种导电类型的半导体源区，第二种导电类型的半导体阱区，沟槽，沟槽栅氧化膜，第一种导电类型的半导体漂移区，置于所述第一种导电类型的半导体漂移区和所述第二种导电类型的半导体阱区之间的第一种导电类型的半导体增强型积累区，相邻的所述第一种导电类型的半导体增强型积累区之间的第二种导电类型的半导体电荷补偿区。所述第一种导电类型的半导体增强型积累区的第一种导电类型的杂质掺杂浓度大于或等于所述第一种导电类型的半导体漂移区的杂质掺杂浓度的2倍；所述第二种导电类型的半导体电荷补偿区中的杂质掺杂浓度的设定，保证该所述电荷补偿区的第二种导电类型的杂质总量与周围的所述增强型积累区的第一种导电类型的杂质总量的差异小于等于所述电荷补偿区的第二种导电类型的杂质总量的15％，也小于等于周围的所述增强型积累区的第一种导电类型的杂质总量的15％。
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